
HTCC又稱為高溫共燒多層陶瓷,生產(chǎn)制造過程與LTCC極為相似,主要的差異點(diǎn)在于HTCC的陶瓷粉末并無加入玻璃材質(zhì),因此,HTCC的必須再高溫1300~1600℃環(huán)境下干燥硬化成生胚,接著同樣鉆上導(dǎo)通孔,以網(wǎng)版印刷技術(shù)填孔與印制線路,因其共燒溫度較高,使得金屬導(dǎo)體材料的選擇受限,其主要的材料為熔點(diǎn)較高但導(dǎo)電性卻較差的鎢、鉬、錳等金屬,最后再疊層燒結(jié)成型。HTCC(高溫共燒陶瓷)生產(chǎn)制造過程與LTCC(低溫共燒陶瓷)非常相似,主要的不同點(diǎn)在于HTCC的陶瓷粉末中未加入玻璃材質(zhì),因此,HTCC的必須在900℃以下先進(jìn)行排膠處理后再在更高的1500-1600℃高溫環(huán)境中將多層疊壓旳基片共燒成一體。HTCC工藝電路填充過程同樣采用絲網(wǎng)印刷,但因其共燒溫度較高,使得填充漿料的選擇受限,為避免低熔點(diǎn)金屬材料在高溫時(shí)被氧化造成工藝?yán)щy,所選的材料為一般熔點(diǎn)較高但導(dǎo)電性卻較差的鎢、鉬、錳等金屬或貴金屬。與低溫共燒陶瓷相比高溫共燒陶瓷由于材料燒結(jié)的溫度更高因而具更高機(jī)械強(qiáng)度、散熱系數(shù)、更好的化學(xué)穩(wěn)定性、材料來源廣泛和成本低,布線密度高等優(yōu)點(diǎn)。在對熱穩(wěn)定性要求更高、基體機(jī)械強(qiáng)度要求更高,高溫條件下?lián)]發(fā)性氣體要求更少、密封性要求更高的發(fā)熱和封裝領(lǐng)域,HTCC工藝得到了更為廣泛的應(yīng)用。目前,全球HTCC高溫共燒陶瓷行業(yè)發(fā)展比較好的國家是日本,國內(nèi)的HTCC高溫共燒陶瓷企業(yè)面臨國內(nèi)品牌的競爭的同時(shí),也將面臨國外品牌的競爭。其中,國外比較著名的HTCC高溫共燒陶瓷生產(chǎn)企業(yè)有日本京瓷、日本村田和MARUWA。目前,越來越多的低功率器件封裝在陶瓷外殼中,那么如何讓這些封裝的散熱符合要求呢?由于氮化鋁的熱導(dǎo)率較高,散熱較為容易,所以對于高溫共燒陶瓷來說,可通過采用氮化鋁高溫共燒陶瓷基板來解決。未來幾年,隨著HTCC高溫共燒陶瓷下游領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,特別是我國電子元器件行業(yè)的蓬勃發(fā)展,對HTCC高溫共燒陶瓷的市場需求將不斷增加,從而帶動HTCC高溫共燒陶瓷的市場規(guī)模的不斷增加。預(yù)計(jì)到2020年,我國HTCC高溫共燒陶瓷行業(yè)市場規(guī)模將有望達(dá)到6.4億元。
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