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1.1　第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.1.1　基礎(chǔ)概念界定
1.1.2　主要材料簡(jiǎn)介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1　材料發(fā)展歷程
1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進(jìn)全景
1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點(diǎn)
1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工

2.1　2022-2024年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運(yùn)行狀況
2.1.1　政府部署情況
2.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
2.1.3　行業(yè)技術(shù)進(jìn)展
2.1.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.5　區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.6　行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì)
2.1.7　行業(yè)前景展望
2.2　美國(guó)
2.2.1　經(jīng)費(fèi)投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2.2.3　技術(shù)研究中心
2.2.4　國(guó)家支持基金
2.2.5　產(chǎn)線建設(shè)動(dòng)態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃
2.3.2　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4　技術(shù)領(lǐng)先狀況
2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6　國(guó)際合作動(dòng)態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　企業(yè)布局情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來(lái)發(fā)展熱點(diǎn)

3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟(jì)環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.2.2　工業(yè)運(yùn)行情況
3.2.3　社會(huì)融資規(guī)模
3.2.4　宏觀經(jīng)濟(jì)展望
3.3　社會(huì)環(huán)境（Social）
3.3.1　社會(huì)教育水平
3.3.2　知識(shí)專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入
3.3.4　技術(shù)人才儲(chǔ)備
3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請(qǐng)狀況
3.4.2　科技計(jì)劃專項(xiàng)
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟

4.1　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.1.1　數(shù)字基建打開(kāi)成長(zhǎng)空間
4.1.2　背光市場(chǎng)空間逐步擴(kuò)大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　產(chǎn)業(yè)上升國(guó)家戰(zhàn)略層面
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
4.2.3　國(guó)產(chǎn)替代狀況
4.2.4　行業(yè)發(fā)展空間
4.3　2022-2024年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行狀況分析
4.3.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.3.2　產(chǎn)業(yè)企業(yè)布局
4.3.3　產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展
4.3.4　市場(chǎng)供需分析
4.4　2022-2024年中國(guó)第三代半導(dǎo)體上游原材料市場(chǎng)發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游氧化鋅市場(chǎng)現(xiàn)狀
4.4.3　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.4　上游材料競(jìng)爭(zhēng)狀況分析
4.5　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問(wèn)題分析
4.5.1　技術(shù)缺乏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力
4.5.2　基礎(chǔ)研究能力欠缺
4.5.3　中試平臺(tái)成本高
4.5.4　制造技術(shù)未完全成熟
4.6　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對(duì)策
4.6.1　加大研發(fā)支持力度
4.6.2　完善產(chǎn)業(yè)體系生態(tài)
4.6.3　加快技術(shù)成果轉(zhuǎn)化
4.6.4　加強(qiáng)國(guó)際科技合作

5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類(lèi)型
5.1.5　技術(shù)專利情況
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
5.2　GaN材料市場(chǎng)發(fā)展概況分析
5.2.1　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
5.2.2　材料價(jià)格走勢(shì)
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　市場(chǎng)應(yīng)用進(jìn)展
5.2.5　應(yīng)用市場(chǎng)預(yù)測(cè)
5.2.6　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類(lèi)別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實(shí)現(xiàn)條件與對(duì)策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險(xiǎn)控制建議

6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1　SiC性能特點(diǎn)
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類(lèi)型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)難點(diǎn)分析
6.2　SiC材料市場(chǎng)發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.2　材料市場(chǎng)規(guī)模
6.2.3　市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)
6.2.4　市場(chǎng)供應(yīng)分析
6.2.5　市場(chǎng)需求方分析
6.2.6　材料技術(shù)水平
6.2.7　市場(chǎng)龍頭企業(yè)
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
6.3.2　電力電子器件
6.3.3　功率模塊產(chǎn)品
6.3.4　器件產(chǎn)品布局
6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　SiC下游主要應(yīng)用場(chǎng)景
6.4.2　SiC導(dǎo)電型器件應(yīng)用
6.4.3　SiC半絕緣型器件應(yīng)用
6.4.4　SiC新能源汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.5　SiC充電樁領(lǐng)域應(yīng)用

7.1　Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.6　發(fā)展建議對(duì)策
7.2　寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
7.3.3　材料國(guó)外進(jìn)展
7.3.4　國(guó)內(nèi)技術(shù)進(jìn)展
7.3.5　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.6　未來(lái)發(fā)展前景
7.4　金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發(fā)展特點(diǎn)
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.6　國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇
7.4.7　材料發(fā)展難點(diǎn)

8.1　第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　2022-2024年電力電子領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　全球市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.2　全球應(yīng)用市場(chǎng)占比
8.2.3　國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.4　國(guó)內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.5　器件發(fā)展趨勢(shì)分析
8.3　2022-2024年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1　射頻器件市場(chǎng)規(guī)模
8.3.2　射頻市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析
8.3.3　射頻器件市場(chǎng)需求
8.3.4　國(guó)防基站應(yīng)用分析
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢(shì)
8.4　2022-2024年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.3　LED芯片發(fā)展
8.4.4　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
8.4.5　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
8.5　2022-2024年半導(dǎo)體激光器發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1　產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)
8.6　2022-2024年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1　5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程
8.6.2　行業(yè)投融資狀況
8.6.3　5G助推材料發(fā)展
8.6.4　材料應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)投資發(fā)展展望
8.7　2022-2024年新能源汽車(chē)領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1　新能源汽車(chē)整體產(chǎn)銷(xiāo)規(guī)模
8.7.2　新能源汽車(chē)板塊企業(yè)動(dòng)態(tài)
8.7.3　新能源汽車(chē)市場(chǎng)集中度
8.7.4　充電基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)行情況
8.7.5　設(shè)施與汽車(chē)的對(duì)比情況

9.1　2022-2024年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.3　中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.2　廣州產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.5　華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　廈門(mén)產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補(bǔ)足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開(kāi)展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵(lì)地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.1.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.1.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.2　聞泰科技股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.2.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.3　北京賽微電子股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.3.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.3.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.3.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.3.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.4　廈門(mén)乾照光電股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.4.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.4.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.4.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.4.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.5　湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.5.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.5.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.5.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.5.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.6　京東方華燦光電股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.6.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.6.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.6.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.6.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.7　株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.7.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.7.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.7.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.7.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場(chǎng)周期
11.1.3　行業(yè)投資價(jià)值
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國(guó)際投資案例
11.2.2　國(guó)內(nèi)投資項(xiàng)目
11.2.3　國(guó)際企業(yè)并購(gòu)
11.2.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)并購(gòu)
11.2.5　企業(yè)融資動(dòng)態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
11.4.3　行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險(xiǎn)
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場(chǎng)機(jī)遇
11.5.2　收購(gòu)企業(yè)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車(chē)催生需求
11.5.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強(qiáng)高校與科研院所合作
11.6　投資項(xiàng)目案例
11.6.1　項(xiàng)目基本概述
11.6.2　項(xiàng)目建設(shè)必要性
11.6.3　項(xiàng)目建設(shè)可行性
11.6.4　項(xiàng)目投資概算
11.6.5　項(xiàng)目建設(shè)周期
11.6.6　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益

12.1　第三代半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢(shì)
12.1.2　未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢(shì)
12.2　第三代半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)機(jī)遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　2025-2030年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測(cè)分析
12.3.1　中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)五力模型分析
12.3.2　2025-2030年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測(cè)

圖表1　第三代半導(dǎo)體特點(diǎn)
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對(duì)比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進(jìn)示意圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表12　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　全球部分國(guó)家/地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
圖表15　2018-2023年全球第三代半導(dǎo)體材料（SiC功率器件、GaN射頻器件）市場(chǎng)規(guī)模
圖表16　國(guó)際SiC代表企業(yè)技術(shù)進(jìn)展情況
圖表17　2022年全球碳化硅襯底市占率
圖表18　國(guó)外碳化硅外延廠商產(chǎn)品/產(chǎn)能布局
圖表19　全球GaN射頻元器件市場(chǎng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)梯隊(duì)
圖表20　全球碳化硅（SiC）區(qū)域發(fā)展格局
圖表21　2022年全球氮化鎵（GaN）區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表22　全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì)分析
圖表23　2024-2029年全球第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN）市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
圖表24　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表25　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表26　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目成員
圖表27　《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表28　2019-2021年國(guó)家層面第三代半導(dǎo)體支持政策匯總
圖表29　2022年第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策的分布情況
圖表30　2022年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地方政府部分政策法規(guī)列表