近年來碳化硅晶片作為襯底材料的應用逐步成熟并進入產業(yè)化階段，以碳化硅晶片為襯底，通常使用化學氣相沉積（CVD）方法，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。其中，在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進一步制成功率器件，應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，可進一步制成微波射頻器件，應用于5G通訊、雷達等領域。
碳化硅晶片經(jīng)外延生長后主要用于制造功率器件、射頻器件等分立器件?？蓮V泛應用于新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領域，在我國“新基建”的各主要領域中發(fā)揮重要作用。
（一）功率器件
碳化硅功率器件被廣泛應用于新能源汽車中的主驅逆變器、DC/DC轉換器、充電系統(tǒng)中的車載充電機和充電樁等，光伏、風電等領域。受益新能源汽車的放量，碳化硅功率器件市場將快速增長。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2018年和2024年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和50億美元，復合增速約51%，按照該復合增速，2027年碳化硅功率器件市場規(guī)模約172億美元。
碳化硅材料市場規(guī)模預測
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