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2021年中國(guó)碳化硅器件行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場(chǎng)分析（附產(chǎn)業(yè)鏈全景圖）
來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院 發(fā)布日期：2022-03-10 15:29
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二、產(chǎn)業(yè)鏈上游

碳化硅在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中是第三代半導(dǎo)體材料代表之一，從碳化硅器件的制造成本結(jié)構(gòu)來(lái)看，襯底成本最大，占比達(dá)47%；其次是外延成本，占比為23%。這兩大工序是SiC器件的重要組成部分。

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1.碳化硅襯底

碳化硅襯底是一種由碳和硅兩種元素組成的化合物半導(dǎo)體單晶材料，具備禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子飽和漂移速率高等特點(diǎn)。根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域不同，可分類為導(dǎo)電型和半絕緣型。

在半絕緣型碳化硅襯底方面，2020年全球半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)集中度較高，美國(guó)的Wolfspeed、II-IV以及國(guó)內(nèi)山東天岳三家獨(dú)大，占比合計(jì)高達(dá)98%。

數(shù)據(jù)來(lái)源：Yole，Wolfspeed，勢(shì)銀（TrendBank）、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

在導(dǎo)電型碳化硅襯底方面，2020年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底美國(guó)的Wolfspeed一家獨(dú)大，市占率高達(dá)62%，II-VI、SiCrystal、SKSiltron、天科合達(dá)等等企業(yè)瓜分剩余市場(chǎng)。

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