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2025年中國(guó)光芯片產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂砑巴顿Y熱力地圖(附產(chǎn)業(yè)鏈全景圖)
來(lái)源:中商產(chǎn)業(yè)研究院 發(fā)布日期:2025-04-17 08:31
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中商情報(bào)網(wǎng)訊:光芯片是現(xiàn)代通信網(wǎng)絡(luò)的核心之一,是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)元件,其性能決定了光通信系統(tǒng)傳輸效率。隨著AI大模型訓(xùn)練及推理需求激增,光芯片作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)暮诵慕M件,其技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張成為支撐算力基建的關(guān)鍵。

一、產(chǎn)業(yè)鏈

中國(guó)光芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游包括原材料及設(shè)備,原材料包括磷化銦襯底材料、砷化鎵襯底材料、工業(yè)氣體、封裝材料、金屬靶材等,設(shè)備包括光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、外延設(shè)備等;中游為光芯片,可分為激光器芯片及探測(cè)器芯片;下游應(yīng)用于光通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)制造、醫(yī)療等領(lǐng)域。

資料來(lái)源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

中國(guó)光芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游依賴進(jìn)口高端設(shè)備(如EUV光刻機(jī))和材料(高純度襯底),但國(guó)產(chǎn)替代已在刻蝕機(jī)、MOCVD等環(huán)節(jié)取得突破;中游激光器芯片(如25G以上EML)仍被美日企業(yè)(Lumentech、三菱)主導(dǎo),但VCSEL、10GDFB等中低端芯片已實(shí)現(xiàn)自給;下游光通信(5G、東數(shù)西算)和新能源車(激光雷達(dá))驅(qū)動(dòng)需求爆發(fā),但高端醫(yī)療、超算領(lǐng)域仍需技術(shù)攻堅(jiān)。未來(lái)需加速產(chǎn)學(xué)研聯(lián)動(dòng),突破“卡脖子”環(huán)節(jié)(如InP襯底制備、納米級(jí)光刻工藝),以實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。

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