中商情報(bào)網(wǎng)訊：碳化硅是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高禁帶寬度（3.2eV）、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和耐高溫高壓等特性。碳化硅憑借其耐高壓、高頻、高效特性，正逐步替代傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，成為新能源、5G通信和航空航天等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。隨著技術(shù)突破和成本下降，碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來高質(zhì)量發(fā)展階段，助力全球能源轉(zhuǎn)型與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
一、產(chǎn)業(yè)鏈
碳化硅目前是晶體生長技術(shù)及器件制造方面最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅從材料到器件的制造過程會(huì)經(jīng)歷單晶生長、晶錠切片、外延生長、晶圓設(shè)計(jì)、制造、封裝等工藝流程。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上游為襯底和外延；中游為器件和模塊制造環(huán)節(jié)，包括SiC二極管、SiCMOSFET、全SiC模塊、SiC混合模塊等；下游應(yīng)用于5G通信、國防應(yīng)用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天、新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
二、上游分析
1.碳化硅器件成本占比
在碳化硅器件的制造成本結(jié)構(gòu)中，襯底成本通常占據(jù)最大比例，占比可達(dá)47%，其次是外延成本，占比約23%，這兩大工序是碳化硅器件的重要組成部分，它們的制備難度非常大，技術(shù)以及成本也非常高。此外，前段和研發(fā)費(fèi)用也是成本結(jié)構(gòu)中的重要部分，分別占比19%和6%左右。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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